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SiC

Silicon Carbide

シリコン 技術と未来が共に成長できるハナマテリアルズ、シリコンカーバイド分野の顧客価値を優先とした経営を追求します。

SiC (シリコンカーバイド)は炭化ケイ素と呼ばれ、SiとSiが強力な共有結合を成しているため硬度及び強度が優れている。高温にも良く耐え腐食しにくい物性の優れた物資である。このような優れた物性のため、高温で清潔な雰囲気が要求される半導体やLED、太陽光·宇宙航空、核融合副産物処理、エネルギーなど様々な産業分野に広く応用されている。

当社は CVD (化学気相成長) SiCコーティング整品の生産及び、特化されたCVD工方で SiCバルク製品を生産している。

SiC Coating

Description

Substrate : graphite
High thermal purification
CVD coating

Applications

LED MOCVD Susceptor - 2, 4, 6” available
H/Z parts for CZ growing

Specification

Properties

Value

Purity (%)

≥ 99.9999

Density (g/cm3)

3.20

shore hardness

52

Thermal Expansion coefficient (10-6/K)

4.5/p>

Thermal Conductivity (W/mK)

214

Coating Thickness (um)

20-250 ± 10%

CVD-SiC Bulk

Description

CVD bulk selective
High corrosion resistance
Resistivity control

Applications

Dry etcher for semiconductor process

Specification

Properties

Value

Density (g/cm³)

3.21

Flexural strength (MPa)

420

Vickers hardness (Hv)

3,100

Thermal conductivity (W/mK)

320

Resistivity (Ω-cm)

0.2~10, >500, <0.02

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