Precision matters
World-class competitiveness based on
differentiated technology and industry-leading expertise
Silicon
技術と未来が共に成長できるハナマテリアルズ、シリコン分野の顧客価値を優先とした経営を追求します。
シリコンは元素記号Siで表示される珪素を意味し、暗灰色の金属製物質である. 半導体工程に使われるシリコンは超高純度の金属シリコンであり、原子が3次元的に秩序整然と配列された単結晶シリコンである.
インゴット成長整備の核心部品であるホットゾーン(ポリシリコン溶融炉)の設計及び成長要素の最適化など、核心的な技術を保有している当社は直径520ｍｍ以上のインゴットを韓国では初めて開発した.
Specification
Properties
Value
Material
Single Crystal Silicon
Out diameter
550mm ~ 240mm
Resistivity(Ω.㎝)
Low Res. (< 0.02)
Middle Res. (1~4)
High Res. (60~90)
RRG < 5%
< 5%
Gas hole
Diameter 0.8~0.2mm
Roundness < 0.02mm
Concentricity < 0.02mm
Δ XY-Position < 0.05mm
Surface condition
Polishing, Lapping, Grinding
Surface Flatness
< 10 ㎛
Machining precision
< 10 ㎛
Quality
Chipping, Scratch, Crack free
Contamination, Stain free
Specification
Properties
Value
Material
Single Crystal Silicon
Multi Crystal Silicon
Out diameter
580mm ~ 240mm
Resistivity(Ω.㎝)
Low Res. (< 0.02)
Middle Res. (1~4)
High Res. (60~90)
RRG < 5%
< 5%
Surface condition
Polishing, Lapping, Grinding
Surface Flatness
< 10 ㎛
Machining precision
< 15 ㎛
Quality
Chipping, Scratch, Crack free
Contamination, Stain free
Specification
Properties
Single Crystal Ingot
Multi-Crystalline “Poly” Ingot
Purity (%)
> 8N
> 6N
Diameter / Size (mm)
300~600
980*980*280
Type/Doped
P,N/Boron,Phosphorus
P/Boron
Resistivity (Ω.cm)
Low Res. (< 0.02)
Middle Res. (1~4)
High Res. (60~90)
Middle Res. (1~4)
RRG (%)
< 5
< 8
Oxygen concentration (ppma)
≤ 13
≤ 20
Carbon concentration (ppma)
≤ 0.5
≤ 1
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